职高电子技巧辨别题

  1、选择题 * 10101001 常温下单晶半导体中就存在着必然数量的电子一空穴对。 □10101002 空穴参与导电,是半导体差别于其他导体导电的一个主要特色。 ( ) □10101003 空穴的导电过程实质上是电子向一个标的目标延续弥补空穴的活动。 ( ) *10101004 在外电场的感化下,半导体中同时出现电子电流和空穴电流。 ( ) 10102005 在纯粹的半导体中掺入某些微量杂质元素可使半导体的导 电功用清晰增强。 10103006 在硅或锗晶体中掺入五价元素可构成P型半导体。 10103007 在硅和锗晶体中掺入三价元素可构成N型半导体。 □ 10103008 在P型半导体中,空穴是少数载流子,电子是少数载 流子。 ( ) *10103009 在N型半导体中,电子是少数载流子,所以N型半导体带负 电。 ( ) □10104010 当N型和P型半导体联合在一同时,因为浓度差的存在,使P区的电子向N辨别散,使N区的空穴向P辨别散,这称为少数载流子的分散活动。 ( ) □10104011 将P区接电源正极,N区接电源负极,此时PN结处于反偏形状。 ( ) □10104012 PN结正偏时,少数载流子活动加重,构成较大年夜的正向电流。 ( ) 10104013 PN结反向偏置时内电场削弱,阻挠层变薄,电阻变小。 10104014 PN结正向偏置时内电场增强,阻挠层变厚,电阻变大年夜。 10105015 PN结的单导游电性就是指它正偏导通,反偏截止的特点。 * 10105016 PN结反向偏置时,反向电流随着反向电压增大年夜而增大年夜。 □10201017 通俗来讲,硅二极管的逝世区电压小于锗二极管的逝世区电压。 ( ) □10201018 晶体二极管的正导游通后,随电流的增大年夜电压同样成比例 地上升。 ( ) * 10201019 晶体二极管是线性元件。 10201020 硅二极管的逝世区电压是0.2V,锗的逝世区电压是0.5V。 10201021 晶体二极管正常任务时的管压降都是0.7V。 10201022 晶体二极管加上正向电压后就会导通。 * 10201023 晶体二极管一旦反向击穿就不能再应用。 10201024 晶体二极管的反向饱和电流越大年夜,二极管的质量越好。 10201025 二极管具有单导游电性。 □10202026 由二极管的单导游电特点可知,它的正向电阻小,反向电阻大年夜。 ( ) * 10202027 二极管的正向电阻是随外加电压的变更而变更的。 □10203028 点接触型晶体二极管许可经过电流大年夜于面接触型晶体二极 管。 ( ) 10203029 小电流的二极管经常使用玻璃壳或塑料壳封装;电流较大年夜的二极管经常使用金属外壳封装。 *10204030 用机械万用表测二极管正向电阻时,应将万用表的红表棒接 二极管的正极,黑表棒接二极管的负极。( ) 10204031 用万用表测得一个二极管的正反向电阻都是无量大年夜,则 二极管曾经短路。 □10205032 硅二极管的反向饱和电流比锗二极管小,所以硅二极管的温 度特点比锗二极管好。( ) 10205033 在整流电路中,通俗采取点接触型晶体二极管。 □10206034通俗取击穿电压的一半作为晶体二极管的十分反向任务电压。 ( ) □10206035 晶体二极管反向击穿后立刻烧毁。( ) * 10206036 把电动势为1.5V的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管两头,此二极管就会被击穿。 10206037 当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小; 当反向电压大年夜于反向击穿电压后,其反向电流敏捷添加。 10206038 假设二极管的正反向电阻都很大年夜,则该晶体二极管已被击穿。 *10220039 在图一所示电路中,晶体二极管为硅管或锗管均不能导通。 ( ) □10301040 晶体三极管由二个PN结构成,晶体二极管由一个PN结构成, 所以可以由二个晶体二极管构成一个晶体三极管。 ( ) □10301041 晶体三极管有两个PN结,因此它具有单导游电性。( ) * 10301042 NPN型三极管处于缩小形状时各极电位关系应满足UC>UB>UE。 * 10301043 PNP型三极管的各极电位关系为UC>UB>UE,则该三极管处于截止形状。 * 10301044 一个PNP型硅三极管各极对地电位为4V、4.3V、3.6V,则该三极管任务在饱和形状。 □10302045 常温下,硅晶体三极管的UBE约为0.7V,且随温度降低而增大年夜。 ( ) □10302046 在晶体三极管发射结上加正偏电压时,就会发生基极电流。 ( ) 10302047 三极管输入特点是指三极管的集电极和发射极之间的电压必然,加在基极和发射极之间的电压和基极电流之间的关系曲线。 □10303048 晶体三极管任务在缩小形状的条件是集电结正偏,发射结反偏。 ( ) 10303049 晶体三极管的输入特点可分为三个区域截止区、缩小区和饱和区。 10303050 在三极管输入特点曲线中,当IB0时,IC等于ICBO。 10303051 晶体三极管处于饱和形状时,它的集电极电流随基极电流的添加而添加。 10303052 发射结正向偏置的三极管必然任务在缩小形状。 10303053 三极管的穿透电流不受基极控制,与缩小有关。 10303054 通俗说来晶体三极管的电流缩小系数β随温度降低而减小。 10303055 发射结反向偏置的晶体三极管必然任务在截止形状。 10303056 晶体三极管的交换缩小系数表现为βIC/IB,它不随任务点修改而修改。 * 10303057 晶体三极管的发射结和集电结都是PN结,因此,发射极和集电极可以交换应用。 10303058 晶体三极管穿透电流的大年夜小不随温度变更。 10303059 晶体三极管不准可任务在过消耗区。 10304060 三极管的缩小感化就是把小电流缩小成大年夜电流。 *10304061 某晶体三极管的IB10μA时,IC0.44mA;当IB20μA时, IC0.89mA,则它的电流缩小系数β45。( ) 10304062 三极管缩小感化的实质是用较小的电流控制较大年夜的电流。 * 10304063 测得正常缩小电路中晶体管的三个管脚电位辨别是 –9V,-6V和-6.2V,则这个晶体三极管是NPN型锗管。 * 10305064 以万用表的黑笔为准,用红笔辨别接三极管的其余二个脚,假设测得两个阻值均较小,则该管为PNP型。 □10305065 用万用表测得晶体三极管任两脚间的电阻均很小,说明该晶体三极管的二个PN结都已烧毁。( ) * 10305066 以万用表的黑笔为准,用红笔辨别接三极管的其余二个脚,假设测得两个阻值均较大年夜,则该管为NPN型。 10401067 依据MOS管的图形符号不只可以识别这个MOS管是N沟道 的照样P沟道, 而且还可识别出它是耗尽型的照样增强型的。 □10402068 绝缘栅场效应管的栅极与源极和漏极之间是相互完整绝缘 的。 ( ) 10402069 MOS管的一个凸起长处是输入电阻高。 □10403070 场效应管是以栅源电压控制漏极电流。( ) 10403071 UGS的宏大年夜变更可以惹起输入电压UDS较大年夜变更,这就是结型 场效应管能停止电压缩小的道理。 * 10403072 场效应管的漏极和源极平日制成对称的,只需产品源极与衬 底没有连在一同, 那么漏极和源极便可交换应用。 10403073 在N沟道增强型MOS管中,假设UGS0,那么就不存在导电 沟道。 * 10403074 夹断电压UP和开启电压UT的正负性与导电沟道类型有关。 □10403075 晶体三极管是电流控制型器件,而场效应管是电压控制型器 件。 ( ) 10501076 稳压二极管的正常任务区为PN结的反向击穿区。 10501077 稳压管的反向电流在必然范围内变更时,稳压管真个电压几 乎不变。 □10502078 开关二极管与通俗二极管的分歧的地方是它的反向电阻极大年夜。 ( ) 10502079 硅开关二极管开关时间极短,仅需几个纳秒。 □10503